
ESD:Electrostatic Discharge,即(jí)是靜電放電,每(měi)個從事硬件設計和生產的(de)工(gōng)程師都必須掌握ESD的相關(guān)知識。為了(le)定量(liàng)表征(zhēng)ESD特性,一般將ESD轉化成模型表達方(fāng)式,ESD的模型有很多種,下麵介(jiè)紹(shào)常用的三種:
1.HBM:Human Body Model,人體模型:(1500Ω±10% / 100PF±10%) 該模型表征人體(tǐ)帶電接觸(chù)器件放電,Rb為等效人體電阻,Cb為等效(xiào)人體(tǐ)電容。等效電路如下圖。圖中同時給出了器件HBM模型的(de)ESD等級。

2.MM:Machine Model,機器模型:(0Ω±10% / 200PF±10%) 機器模型的等效電路與人體(tǐ)模型相似,但等效電容(Cb)是200pF,等效電阻為0,機器模型與人體模(mó)型的差異(yì)較大,實際上機器的儲(chǔ)電電容變化(huà)較大,但為了描述的統一,取200pF。由於機器模型放電時(shí)沒有電阻,且儲電電(diàn)容(róng)大於人(rén)體模式,同等電壓(yā)對器件的損害,機(jī)器模式遠大於人體模型。

3.CDM:Charged Device Model,充電器件模型:
半導體器件主要采用三種封裝(zhuāng)型式(金屬、陶(táo)瓷、塑(sù)料)。它們在裝配、傳遞、試(shì)驗、測試、運輸及存貯過(guò)程中(zhōng),由於管殼與其它絕緣材料(如包裝用的塑料袋、傳遞(dì)用的塑料容器等)相互磨擦(cā),就會使管殼帶電。器件本身作為電(diàn)容器的一(yī)個極板而(ér)存貯電荷。CDM模型就是基於(yú)已帶(dài)電的器件(jiàn)通過管腳與地接觸時,發生對地放電引起器件失效(xiào)而建立的,器件帶(dài)電模型如下:

器件的ESD等級一般按以上三種模型測試,大部分ESD敏感(gǎn)器(qì)件手冊上都有器件的ESD數據,一般給出的是(shì)HBM和MM。
通過器件的ESD數據可以了解(jiě)器件的ESD特性,但要注意,器件的每個管(guǎn)腳的ESD特性差異(yì)較大,某些管腳的ESD電壓會特別低,一般來說,高速端口,高阻輸入端口,模擬端口ESD電壓會比較低。
ESD防護(hù)是一項係統(tǒng)工程,需要各個環節(jiē)的控製(zhì)。下圖是一個ESD防護的流程圖:

ESD防護設計(jì)可分為單板(bǎn)防護(hù)設計、係統防護設(shè)計、加(jiā)工環境(jìng)設計和應用環境防護設計,單板防護設計可以提高單板ESD水平,降低係統設計難度和係(xì)統組裝的靜電防護要求。當(dāng)係統設計還不能滿足要求時,需要進行應用環境設計防護設計。ESD敏感器(qì)件在裝聯和整機組裝時,環境的ESD直接加載到器件,所以加工環境的ESD防護是至關重(chóng)要的。
一般(bān)整機、單(dān)板、接口的接觸放電應達到±2000V(HBM)以上的防護要求。器件(jiàn)的ESD防護設計是在器件(jiàn)不能滿足ESD環境要求的(de)情況下,通過衰減加到器件上的(de)ESD能量達到保(bǎo)護器件的目的。ESD是電荷放電,具有電壓高,持續時間短的特點,根據這些特點,ESD能量衰減可通過電壓限製、電流限製、高通濾波、帶通濾波(bō)等(děng)方式實(shí)現,所以防護電路的(de)形式多種多樣。

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