一文讀懂EMC、EMI和EMS三者之（zhī）間的關係

EMC中文簡稱為電磁兼容，EMC=EMI+EMS。通俗理解，電子產（chǎn）品本身具備一定的抗幹擾能力(EMS)，工作時您幹擾（rǎo）我我幹擾您 (EMI)，但（dàn）是大家還（hái）能夠和（hé）平共處(EMC)。
基本概念
假如EMI是狼（láng），EMS是羊（yáng），那EMC就是狼愛上羊（yáng）!
EMI中文簡稱為電磁幹擾，EMI=RE(輻射幹擾)+CE(傳導幹擾)。通俗理解，電子產品因電壓(Dv/Dt)電流突變(Di/Dt)引起（qǐ）對電網和空間電磁環境的汙染。EMI的一些標準舉例，比如美國是Fcc part15/part18，歐（ōu）洲標準以EN5XXX開頭，比（bǐ）如EN55013，EN55014，EN55022等常用標（biāo）準，不必刻意的記憶標（biāo）準，安規機構是（shì）專業的（de）(電子工程師應（yīng）該把主要精力放在電路拓撲和元（yuán）器件的特性理解和應用上（shàng）麵)!快（kuài）是EMI產（chǎn）生的要因，東（dōng）方不敗武功以快可以獨霸武林!
EMS中文簡稱為電磁抗幹擾，EMS=Surge(雷擊)+ESD(靜（jìng）電)+EFT(快速脈衝)+DIP(電壓跌（diē）落（luò）)等;通俗理解，外部幹擾通過（guò）線或者空間輻射來幹擾我，因我具備吸收（shōu）消化的能力而能正常工作（zuò）。美國沒有EMS的要（yào）求，歐洲的以EN61000-X-X作為EMS對應的具體（tǐ）標準，大家不必刻意的去記憶標準，安規機構是專業的!再上一張武俠照片來說明，吸收也不是等閑之輩!看看任我行的吸星大法（fǎ）也層獨步（bù）武林（lín）數十載。EMS的（de）要訣就是吸收消耗外來入侵者達到保護自（zì）己的目的，但不可以走火入魔(當吸收不（bú）足以承受衝擊時，就會產生NG的（de）結果)!
先有（yǒu）EMI幹擾，再有EMS吸收，然後帶來EMC和平共處!
EMI分享
EMI是（shì）“快”的產物，在產品小型化的下，IC的工作頻率會越來越高，帶（dài）來（lái）的EMI問題越來越嚴重!但是測試標準沒有放鬆，隻有加嚴的可能!我們怎麽能打敗以快稱霸的東方不敗!這點我們要跟金庸大（dà）師學習!
招：吸星大法!此乃蓋世神功，主要（yào）針對核心幹擾源使用的，即高頻功率元器件。以電源反激拓撲為例說明：消耗漏感保護MOSFEY的RCD吸（xī）收，次級（jí）肖特基的RC和BEAD吸收，初級（jí）主開關Mosfet加C或者RC或者BEAD吸收，變壓（yā）器加（jiā）銅箔（bó）屏蔽或者線徑屏蔽（bì），即把主幹擾（rǎo）繞組的幹擾（rǎo）吸（xī）收掉(或者疏導)!
第（dì）二招：群英鬥呂布!即分散幹擾源的路徑和強度，讓幹擾源流向空間或（huò）者（zhě）LISN的幹擾強度（dù）變小!比如增大驅動電阻(減小主頻率的諧波分量);加Y電容疏導（dǎo）幹擾源（yuán）(初級幹擾源到次級後，通過Y再回到初級，不（bú）讓其流向次級的DC CABLE，同樣次級的不讓其流向初級AC CABLE);增（zēng）加共模電感(阻礙幹（gàn）擾源)，差模電感(阻礙幹（gàn）擾源)，Cbulk電容並瓷片電容(疏導幹擾（rǎo）源（yuán）)，增加X電容(疏導（dǎo）幹（gàn）擾源)，，，，，，等手段!我們也是一幫兄弟齊上陣，有點勝之不武!
第三招（zhāo）：乾坤大挪移!當我們使用了“吸星大法（fǎ）”和“群英鬥呂布(以少（shǎo）勝多的（de）辦法)”還是搞不定時，就說明（míng）我們的“基本功力”沒（méi）打牢（láo），即Pcblayout布線可能需（xū）要調整，變壓（yā）器的繞製工（gōng）藝及屏蔽方法沒有優（yōu）化，共模電感或者差模電感及材質是否合適，感量是否優化，驅動電阻與RCD吸收是否配備，還有LC振蕩相匹配的阻尼R電阻取值是否合理，即我們的很多參數不是優化的（de），計算也無從下手時，此時就需要我們針對不同的參數進行更換來看效果了。
EMS分享
處理EMS從（cóng）兩招入手就可以手到擒拿!：我們要了（le）解外部幹擾源的特點!以surge為了，瞬時的電（diàn）壓，爬上時間，跌落時間，內（nèi）阻，即幹擾源發生器的特（tè）性。第（dì）二，我們要知道，這些（xiē）幹擾源在我們PCBA上（shàng）麵的路徑（jìng）!我們知道幹擾源的特性及路徑，同樣采納EMI整改的思路去處理!在EMS整改中，大（dà）家要跟電路基礎（chǔ）結合（hé）起來，從原理上（shàng）麵找到對策比（bǐ）EMI上（shàng）麵容易（yì）!
以Surge為例，以電源適配器，輸入100-240VAC,50/60HZ,2PIN輸入，假設是10W手機充電（diàn）器，IT類的標準（zhǔn），以低標準1KV!安規（guī）標準一般是以230VAC為基礎上麵加（jiā）1KV的雷擊，我們就加嚴處理，以AC264V輸入為準來評估!
AC264V*1.414+1KV=1373.296V(取極限值)，設備內阻是2R,假設雷（léi）擊（jī）回路阻抗在PCBA內是0，此時的大衝（chōng）擊電流是686.648A!這樣的電（diàn）流衝擊對（duì）任何元器件都是毀滅性的摧殘!還好，線（xiàn）路（lù）上（shàng）麵（miàn）有等效（xiào）阻抗（kàng），比如PCB的等效阻抗，電解電容的ESR，假（jiǎ）設這些阻抗是5R，整個回路的阻抗是7R,此時的衝擊電流是196.18A，這對1A的整流器（qì），8ms可以衝（chōng）擊30A的來說，以及大部分的高壓電解電容來說也是災（zāi）難!比如，我（wǒ）們增加一個4.7R抗衝擊，保險絲電阻在此雷擊回路上麵（miàn），此時（shí）線路阻抗是2+7+4.7=13.7R,此時的衝擊（jī）電流是100A，將到了一個（gè）合理的範圍!(這裏的電阻參數是等效的，實際需要大家根據情況去取舍)!